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Die Zukunft der Leistungselektronik: GaN-Halbleiter Die Wachstumschancen für Galliumnitrid-Halbleiter sind in mehreren Multimilliarden-Dollar-Märkten immens, darunter Stromversorgung, erneuerbare Energien, Elektrofahrzeuge, Schienenverkehr und andere. Unabhängige Prognosen gehen davon aus, dass der Gesamtmarkt für GaN-Leistungsgeräte bis 2025 eine Milliarde Dollar überschreiten könnte. Die überlegenen Materialeigenschaften von GaN ermöglichen eine effizientere, höherdichte Leistungsumwandlung und ermöglichen gleichzeitig völlig neue Systemfunktionen. Der Übergang von Silizium und anderen traditionellen Halbleitertechnologien kann einige Zeit dauern, aber Innovatoren, die elektrische Energiesysteme der nächsten Generation entwickeln, können jetzt mit einem bahnbrechenden Material arbeiten. Letztendlich verspricht GaN, den globalen Fortschritt hin zu nachhaltigen Energie- und Transportinfrastrukturen zu beschleunigen. Da Hersteller kontinuierlich Kosten und Ertrag optimieren und innovativere Produkte auf den Markt kommen, werden Galliumnitrid-Halbleiter noch häufiger zum Einsatz kommen. Innerhalb dieses Jahrzehnts wird GaN die gängigen Leistungselektronikanwendungen verändern. Die Zukunft hocheffizienter Energiesysteme wird auf dieser Halbleitertechnologie mit großem Bandabstand basieren. Erfahren Sie mehr über GaN-Halbleiter https://timessquarereporter.com/news/the-rise-of-gan-semiconductor-based-power-semiconductors